沉著應(yīng)對(duì)SiC動(dòng)態(tài)特性差異帶來(lái)的測(cè)試難點(diǎn)

*測(cè)不準(zhǔn)——碳化硅SiC動(dòng)態(tài)特性導(dǎo)致di/dt加快，電流采樣方案需要具備納秒級(jí)的解析度，否則測(cè)不準(zhǔn)器件的動(dòng)態(tài)特性
*測(cè)不全——碳化硅SiC高速開(kāi)關(guān)，測(cè)試回路雜感高會(huì)帶來(lái)極高的電壓尖峰，在器件工作電壓范圍內(nèi)測(cè)不全
*可靠性差——測(cè)試驅(qū)動(dòng)電路需要具備極強(qiáng)的抗EMI干擾能力，否則易損壞被測(cè)器件，導(dǎo)致設(shè)備可靠性差

Edison功率模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)可沉著應(yīng)對(duì)SiC動(dòng)態(tài)特性差異帶來(lái)的測(cè)試難點(diǎn)。創(chuàng)新性層疊母排和電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，測(cè)試主回路雜感低至 6nH（Performance版）。高速、高頻、高可靠、高共模瞬變抗擾度（CMTI）使SiC驅(qū)動(dòng)器性能業(yè)界領(lǐng)先。使用泰克公司最新推出的新五系高分辨率示波器和專門(mén)用于高壓差分信號(hào)測(cè)試的光隔離探頭，為三代半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性表征帶來(lái)更高帶寬和更高測(cè)試精度。

一站式動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

• 從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線的全覆蓋
• 從IDM企業(yè)到應(yīng)用企業(yè)的全覆蓋
• 從Si到SiC的全覆蓋
• 從Discrete到不同封裝Power Module的全覆蓋

高帶寬高精度測(cè)量?jī)x器

• 系統(tǒng)匹配全球領(lǐng)先TIVP光隔離探頭，可提供無(wú)與倫比的帶寬、動(dòng)態(tài)范圍和共模抑制
• 探頭電壓采樣帶寬高達(dá)1GHz，是傳統(tǒng)電壓探頭帶寬5倍以上
• 共模抑制比高達(dá)120dB，比傳統(tǒng)探頭提升1000倍以上
• TIVP光隔離探頭能精準(zhǔn)捕捉碳化硅器件高速開(kāi)關(guān)時(shí)Vgs、Id和Vds的波形細(xì)節(jié)

超低雜感測(cè)試主回路

• 創(chuàng)新性層疊母排和電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
• 測(cè)試主回路雜感低至 10nH
• 最新改進(jìn)型低至6nH

強(qiáng)悍的短路測(cè)試能力

10kA級(jí)短路電流測(cè)試能力，放心探索產(chǎn)品極限。